INK011BAP1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: INK011BAP1

Código: KD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-62

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INK011BAP1 Datasheet (PDF)

1.1. ink011bap1.pdf Size:109K _update-mosfet

4.1. ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf Size:205K _update-mosfet

INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unit：mm) INK0112AＸ is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5 voltage drive and low on resistance. 0.35 0.8 0.35 FEATURE ① ・Input impedance is high, and not necessary to JEIT

5.1. ink0103ac1 ink0103am1 ink0103au1.pdf Size:150K _update-mosfet