INK011BAP1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: INK011BAP1
   Código: KD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-62

Búsqueda de reemplazo de MOSFET INK011BAP1

INK011BAP1 Datasheet (PDF)

..1. Size:109K isahaya
ink011bap1.pdf

8.1. Size:205K isahaya
ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf

INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT

9.1. Size:150K isahaya
ink0103ac1 ink0103am1 ink0103au1.pdf