INK011BAP1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: INK011BAP1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: SC-62

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INK011BAP1 datasheet

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INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unit mm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5 voltage drive and low on resistance. 0.35 0.8 0.35 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT

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