INK011BAP1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: INK011BAP1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: SC-62
Аналог (замена) для INK011BAP1
INK011BAP1 Datasheet (PDF)
ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf
INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT
Другие MOSFET... INK0102AM1 , INK0102AU1 , INK0103AC1 , INK0103AM1 , INK0103AU1 , INK0112AC1 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , 8205A , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF .
History: FDB0630N1507L | TPM603NT3 | CPH3340 | IRHM9250 | FDB2532-F085 | AONE36132
History: FDB0630N1507L | TPM603NT3 | CPH3340 | IRHM9250 | FDB2532-F085 | AONE36132
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor