INK011BAP1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: INK011BAP1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: SC-62
Аналог (замена) для INK011BAP1
INK011BAP1 Datasheet (PDF)
ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf
INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT
Другие MOSFET... INK0102AM1 , INK0102AU1 , INK0103AC1 , INK0103AM1 , INK0103AU1 , INK0112AC1 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , IRFP260 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF .
History: NCEP080N10F | KU310N10P | SSPL1042 | AMA420N | EMB22A04G | 4N90L-TF3T-T
History: NCEP080N10F | KU310N10P | SSPL1042 | AMA420N | EMB22A04G | 4N90L-TF3T-T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor