INK011BAP1 - описание и поиск аналогов

 

INK011BAP1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: INK011BAP1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: SC-62

Аналог (замена) для INK011BAP1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

INK011BAP1 даташит

 ..1. Size:109K  isahaya
 ink011bap1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

 8.1. Size:205K  isahaya
 ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unit mm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5 voltage drive and low on resistance. 0.35 0.8 0.35 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT

 9.1. Size:150K  isahaya
 ink0103ac1 ink0103am1 ink0103au1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

 9.2. Size:153K  isahaya
 ink0102ac1 ink0102am1 ink0102au1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... INK0102AM1 , INK0102AU1 , INK0103AC1 , INK0103AM1 , INK0103AU1 , INK0112AC1 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , 2SK3878 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.