INK011BAP1 - аналоги и даташиты транзистора

 

INK011BAP1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: INK011BAP1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-62
 

 Аналог (замена) для INK011BAP1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

INK011BAP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  isahaya
 ink011bap1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

 8.1. Size:205K  isahaya
 ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT

 9.1. Size:150K  isahaya
 ink0103ac1 ink0103am1 ink0103au1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

 9.2. Size:153K  isahaya
 ink0102ac1 ink0102am1 ink0102au1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... INK0102AM1 , INK0102AU1 , INK0103AC1 , INK0103AM1 , INK0103AU1 , INK0112AC1 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , 2SK3878 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF .

History: YJS10N04A

 

 
Back to Top

 


 
.