Справочник MOSFET. INK011BAP1

 

INK011BAP1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: INK011BAP1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-62
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

INK011BAP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  isahaya
 ink011bap1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

 8.1. Size:205K  isahaya
 ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT

 9.1. Size:150K  isahaya
 ink0103ac1 ink0103am1 ink0103au1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

 9.2. Size:153K  isahaya
 ink0102ac1 ink0102am1 ink0102au1.pdf pdf_icon

INK011BAP1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.