INK0210AP1 Todos los transistores

 

INK0210AP1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: INK0210AP1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-62
 

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INK0210AP1 PDF Specs

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INK0210AP1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INK0210AP1 is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 4.4 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 1.5 1.6 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to MARKING consider a drive electric current. ... See More ⇒

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INK0210AC1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INK0210AC1 is a Silicon N-channel MOSFET. 2.8 This product is most suitable for use such as portable 0.65 1.5 0.65 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive elect... See More ⇒

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