INK0210AP1 - аналоги и даташиты транзистора

 

INK0210AP1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: INK0210AP1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: SC-62
 

 Аналог (замена) для INK0210AP1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

INK0210AP1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  isahaya
 ink0210ap1.pdf pdf_icon

INK0210AP1

INK0210AP1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INK0210AP1 is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for use such as portable 4.4machinery, because of low voltage drive and low on resistance. 1.51.6FEATURE Input impedance is high, and not necessary to MARKINGconsider a drive electric current.

 6.1. Size:133K  isahaya
 ink0210ac1.pdf pdf_icon

INK0210AP1

INK0210AC1 High Speed Switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING UNIT INK0210AC1 is a Silicon N-channel MOSFET. 2.8 This product is most suitable for use such as portable 0.65 1.5 0.65 machinery, because of low voltage drive and low on resistance. FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive elect

 8.1. Size:121K  isahaya
 ink021aap1.pdf pdf_icon

INK0210AP1

 9.1. Size:115K  isahaya
 ink0200ac1.pdf pdf_icon

INK0210AP1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... INK0103AM1 , INK0103AU1 , INK0112AC1 , INK0112AM1 , INK0112AU1 , INK011BAP1 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , IRF1010E , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 , IVN5001ANE , IRC530PBF , IRC540PBF , IRC630PBF , IRC634PBF .

History: PMPB43XPE | MCT06P10 | 2SK1749 | IPW60R180P7 | VS4618AS-AP | GSM3413A

 

 
Back to Top

 


 
.