IRC830PBF Todos los transistores

 

IRC830PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRC830PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220-5
 

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IRC830PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  international rectifier
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IRC830PBF

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History: WMK26N60F2 | ME04N25-G | WMM08N60C4 | SI3403 | 2SK430S

 

 
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