IRC830PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRC830PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220-5

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRC830PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRC830PBF даташит

 ..1. Size:222K  international rectifier
 irc830 irc830pbf.pdf pdf_icon

IRC830PBF

Другие IGBT... IRC530PBF, IRC540PBF, IRC630PBF, IRC634PBF, IRC640PBF, IRC644PBF, IRC730PBF, IRC740PBF, 20N50, IRC840PBF, IRCZ24, IRCZ24PBF, IRCZ34, ISL9N302AP3, ISL9N302AS3ST, IVN5000AND, IVN5000ANE