Справочник MOSFET. IRC830PBF

 

IRC830PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRC830PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220-5
 

 Аналог (замена) для IRC830PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRC830PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  international rectifier
irc830 irc830pbf.pdfpdf_icon

IRC830PBF

Другие MOSFET... IRC530PBF , IRC540PBF , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , 4435 , IRC840PBF , IRCZ24 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE .

 

 
Back to Top

 


 
.