IRC830PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRC830PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220-5
IRC830PBF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... IRC530PBF , IRC540PBF , IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , 5N65 , IRC840PBF , IRCZ24 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent


