IRCZ24 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRCZ24
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: TO-220-5
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IRCZ24 datasheet
ircz24 ircz24pbf.pdf
PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and
ircz24.pdf
PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and
Otros transistores... IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRFB3607 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH .
History: BSC014N06NSSC
History: BSC014N06NSSC
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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