IRCZ24 Todos los transistores

 

IRCZ24 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRCZ24
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220-5
 

 Búsqueda de reemplazo de IRCZ24 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRCZ24 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  international rectifier
 ircz24 ircz24pbf.pdf pdf_icon

IRCZ24

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 ..2. Size:145K  international rectifier
 ircz24.pdf pdf_icon

IRCZ24

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Otros transistores... IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRFB3607 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH .

History: IVN5000AND | MMN400A010U1 | MDU1516URH | HX3400 | 9N90L-T47 | CPC3714 | TPS1120

 

 
Back to Top

 


 
.