Справочник MOSFET. IRCZ24

 

IRCZ24 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRCZ24
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220-5
 

 Аналог (замена) для IRCZ24

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRCZ24 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  international rectifier
 ircz24 ircz24pbf.pdf pdf_icon

IRCZ24

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 ..2. Size:145K  international rectifier
 ircz24.pdf pdf_icon

IRCZ24

PD - 9.615AIRCZ24HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of ParallelingID = 26A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Другие MOSFET... IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , AON7506 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH .

History: IPI100N10S3-05 | CS6N70CRHD | HCD70R910 | TPC8047-H | NTMFS6H801N | STD11NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.