IRCZ24 - описание и поиск аналогов

 

IRCZ24. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRCZ24

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220-5

Аналог (замена) для IRCZ24

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRCZ24 даташит

 ..1. Size:141K  international rectifier
 ircz24 ircz24pbf.pdf pdf_icon

IRCZ24

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

 ..2. Size:145K  international rectifier
 ircz24.pdf pdf_icon

IRCZ24

PD - 9.615A IRCZ24 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 26A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Другие MOSFET... IRC630PBF , IRC634PBF , IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRFB3607 , IRCZ24PBF , IRCZ34 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.