IRCZ34 Todos los transistores

 

IRCZ34 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRCZ34

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TO-220-5

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IRCZ34 datasheet

 ..1. Size:128K  international rectifier
 ircz34.pdf pdf_icon

IRCZ34

PD - 9.590A IRCZ34 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.050 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 30A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Otros transistores... IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRCZ24 , IRCZ24PBF , IRF530 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH , IVN5001AND , IVN5001ANF .

History: BSC0702LS | BRU24N50

 

 

 

 

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