IRCZ34 Todos los transistores

 

IRCZ34 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRCZ34
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 88 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 640 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220-5
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRCZ34 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  international rectifier
 ircz34.pdf pdf_icon

IRCZ34

PD - 9.590AIRCZ34HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 60V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.050 Fast Switching Ease of ParallelingID = 30A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM2054NSV | AO4914 | SIR496DP | RSR025N03FRA | BFC23 | SIHB16N50C | IRFR9220

 

 
Back to Top

 


 
.