IRCZ34 - описание и поиск аналогов

 

IRCZ34. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRCZ34

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TO-220-5

Аналог (замена) для IRCZ34

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRCZ34 даташит

 ..1. Size:128K  international rectifier
 ircz34.pdf pdf_icon

IRCZ34

PD - 9.590A IRCZ34 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating VDSS = 60V Current Sense 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.050 Fast Switching Ease of Paralleling ID = 30A Simple Drive Requirements Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Другие MOSFET... IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRCZ24 , IRCZ24PBF , IRF530 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH , IVN5001AND , IVN5001ANF .

History: IPW60R120P7 | BSC061N08NS5

 

 

 

 

↑ Back to Top
.