IRCZ34 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRCZ34 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRCZ34
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 640 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO-220-5
 

 Аналог (замена) для IRCZ34

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRCZ34 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  international rectifier
 ircz34.pdf pdf_icon

IRCZ34

PD - 9.590AIRCZ34HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt RatingVDSS = 60V Current Sense 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.050 Fast Switching Ease of ParallelingID = 30A Simple Drive RequirementsDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device, low on-resistance and

Другие MOSFET... IRC640PBF , IRC644PBF , IRC730PBF , IRC740PBF , IRC830PBF , IRC840PBF , IRCZ24 , IRCZ24PBF , STP80NF70 , ISL9N302AP3 , ISL9N302AS3ST , IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH , IVN5001AND , IVN5001ANF .

History: 2SJ607-Z | TN0702 | BMS3003 | DMNH6012LK3 | WVM30N30 | 2SK2528-01 | HPD160N06STA

 

 
Back to Top

 


 
.