IXCY01N90E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXCY01N90E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 137 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 80 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXCY01N90E

IXCY01N90E Datasheet (PDF)

..1. Size:114K ixys
ixcp01n90e ixcy01n90e.pdf

VDSS = 900 VIXCP 01N90EGate ControlledID(limit) = 250mAIXCY 01N90ECurrent LimiterRDS(on)= 80 N-Channel, Enhancement ModeDGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXCY)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VTABVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V GVGS Continuous 20 V SVGSM Transient 30 VPD TC = 25C40 WTO-220 (IXCP)TJ -55

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: