IXCY01N90E - аналоги и даташиты транзистора

 

IXCY01N90E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXCY01N90E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 137 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 80 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IXCY01N90E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXCY01N90E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  ixys
 ixcp01n90e ixcy01n90e.pdf pdf_icon

IXCY01N90E

VDSS = 900 VIXCP 01N90EGate ControlledID(limit) = 250mAIXCY 01N90ECurrent LimiterRDS(on)= 80 N-Channel, Enhancement ModeDGSSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXCY)VDSS TJ = 25C to 150C 900 VTABVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 900 V GVGS Continuous 20 V SVGSM Transient 30 VPD TC = 25C40 WTO-220 (IXCP)TJ -55

Другие MOSFET... IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH , IVN5001AND , IVN5001ANF , IVN5001ANH , IXCP01N90E , RFP50N06 , IPI70R950CE , IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , MTP45N05E , SSS45N20B .

 

 
Back to Top

 


 
.