IXCY01N90E - описание и поиск аналогов

 

IXCY01N90E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXCY01N90E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 137 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 80 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IXCY01N90E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXCY01N90E даташит

 ..1. Size:114K  ixys
 ixcp01n90e ixcy01n90e.pdf pdf_icon

IXCY01N90E

VDSS = 900 V IXCP 01N90E Gate Controlled ID(limit) = 250mA IXCY 01N90E Current Limiter RDS(on)= 80 N-Channel, Enhancement Mode D G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-252 (IXCY) VDSS TJ = 25 C to 150 C 900 V TAB VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 900 V G VGS Continuous 20 V S VGSM Transient 30 V PD TC = 25 C40 W TO-220 (IXCP) TJ -55

Другие MOSFET... IVN5000AND , IVN5000ANE , IVN5000ANF , IVN5000ANH , IVN5001AND , IVN5001ANF , IVN5001ANH , IXCP01N90E , IRF1407 , IPI70R950CE , IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , MTP45N05E , SSS45N20B .

History: G08N03D2 | KF5N50FR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.