MTP45N05E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP45N05E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP45N05E

MTP45N05E Datasheet (PDF)

..1. Size:1691K motorola
mtm45n05e mtp45n05e.pdf

9.1. Size:278K cystek
mtp452m3.pdf

Spec. No. : C426M3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m(typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m(typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

9.2. Size:358K cystek
mtp452l3.pdf

Spec. No. : C400L3 Issued Date : 2009.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6AFeatures Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3D S GGate D

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Liste

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