MTP45N05E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP45N05E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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MTP45N05E datasheet
mtp452m3.pdf
Spec. No. C426M3 Issued Date 2012.02.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m (typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89
mtp452l3.pdf
Spec. No. C400L3 Issued Date 2009.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3 D S G Gate D
Otros transistores... IXCP01N90E , IXCY01N90E , IPI70R950CE , IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , 18N50 , SSS45N20B , RFP4N35 , RFP4N40 , 9N90L-T47 , CPC3701 , CPC3701C , CPC3703 , CPC3703C .
History: 4N65G-K08-5060-R | DMC3021LSD
History: 4N65G-K08-5060-R | DMC3021LSD
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Liste
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