Справочник MOSFET. MTP45N05E

 

MTP45N05E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP45N05E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP45N05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1691K  motorola
 mtm45n05e mtp45n05e.pdf pdf_icon

MTP45N05E

 9.1. Size:278K  cystek
 mtp452m3.pdf pdf_icon

MTP45N05E

Spec. No. : C426M3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m(typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m(typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

 9.2. Size:358K  cystek
 mtp452l3.pdf pdf_icon

MTP45N05E

Spec. No. : C400L3 Issued Date : 2009.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6AFeatures Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3D S GGate D

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IRLR8743 | IRHM7360SE | IRLR8726PBF | CMLM0708A | SSM6P26TU | IRFZ44RP | 7N65G-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.