MTP45N05E - описание и поиск аналогов

 

MTP45N05E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP45N05E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для MTP45N05E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP45N05E даташит

 ..1. Size:1691K  motorola
 mtm45n05e mtp45n05e.pdf pdf_icon

MTP45N05E

 9.1. Size:278K  cystek
 mtp452m3.pdf pdf_icon

MTP45N05E

Spec. No. C426M3 Issued Date 2012.02.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m (typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

 9.2. Size:358K  cystek
 mtp452l3.pdf pdf_icon

MTP45N05E

Spec. No. C400L3 Issued Date 2009.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3 D S G Gate D

Другие MOSFET... IXCP01N90E , IXCY01N90E , IPI70R950CE , IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , 18N50 , SSS45N20B , RFP4N35 , RFP4N40 , 9N90L-T47 , CPC3701 , CPC3701C , CPC3703 , CPC3703C .

History: 2N4360 | IRFU3704 | FDS6675B | RU6035M3 | AOD476 | ET2N7002K | G16P03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.