Справочник MOSFET. MTP45N05E

 

MTP45N05E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP45N05E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для MTP45N05E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP45N05E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1691K  motorola
 mtm45n05e mtp45n05e.pdf pdf_icon

MTP45N05E

 9.1. Size:278K  cystek
 mtp452m3.pdf pdf_icon

MTP45N05E

Spec. No. : C426M3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m(typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m(typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

 9.2. Size:358K  cystek
 mtp452l3.pdf pdf_icon

MTP45N05E

Spec. No. : C400L3 Issued Date : 2009.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6AFeatures Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3D S GGate D

Другие MOSFET... IXCP01N90E , IXCY01N90E , IPI70R950CE , IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , 75N75 , SSS45N20B , RFP4N35 , RFP4N40 , 9N90L-T47 , CPC3701 , CPC3701C , CPC3703 , CPC3703C .

History: R6524KNZ | SIRA14BDP | KIA10N80H-3P

 

 
Back to Top

 


 
.