SSS45N20B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSS45N20B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 340 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de SSS45N20B MOSFET
SSS45N20B Datasheet (PDF)
ssp45n20b sss45n20b.pdf

November 2001SSP45N20B/SSS45N20B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored
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History: NP90N04NUK | SDF5N100JAB | PSMN2R7-30PL | PP4B10BK | PP9C15AF | CST08N50U | SIE882DF
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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