SSS45N20B - описание и поиск аналогов

 

SSS45N20B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSS45N20B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSS45N20B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS45N20B даташит

 ..1. Size:914K  fairchild semi
 ssp45n20b sss45n20b.pdf pdf_icon

SSS45N20B

November 2001 SSP45N20B/SSS45N20B 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF) This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... IXCY01N90E , IPI70R950CE , IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , MTP45N05E , 20N50 , RFP4N35 , RFP4N40 , 9N90L-T47 , CPC3701 , CPC3701C , CPC3703 , CPC3703C , CPC3710 .

History: FQB34N20 | IRFU3704 | RU6035M3 | FDS6675B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.