Справочник MOSFET. SSS45N20B

 

SSS45N20B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSS45N20B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SSS45N20B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSS45N20B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  fairchild semi
 ssp45n20b sss45n20b.pdf pdf_icon

SSS45N20B

November 2001SSP45N20B/SSS45N20B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... IXCY01N90E , IPI70R950CE , IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , MTP45N05E , 2N60 , RFP4N35 , RFP4N40 , 9N90L-T47 , CPC3701 , CPC3701C , CPC3703 , CPC3703C , CPC3710 .

History: NCE3030Q | IPP110N06LG | NCE3040Q | WM02DN08T

 

 
Back to Top

 


 
.