Справочник MOSFET. SSS45N20B

 

SSS45N20B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSS45N20B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 133 nC
   trⓘ - Время нарастания: 340 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SSS45N20B

 

 

SSS45N20B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:914K  fairchild semi
 ssp45n20b sss45n20b.pdf

SSS45N20B SSS45N20B

November 2001SSP45N20B/SSS45N20B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 35A, 200V, RDS(on) = 0.065 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 133 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 120 pF)This advanced technology has been especially tailored

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STF40N65M2

 

 
Back to Top