CPC5602 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CPC5602
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CPC5602

CPC5602 Datasheet (PDF)

..1. Size:106K ixys
cpc5602.pdf

CPC5602N-Channel Depletion Mode FETParameter Rating Units DescriptionDrain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clares proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 Wgeneration process realizes world class, high voltage MOSFET perf

0.1. Size:105K ixys
cpc5602c.pdf

8.1. Size:106K ixys
cpc5603.pdf

CPC5603N-Channel Depletion Mode FETParameter Rating Units DescriptionDrain-to-Source Voltage - VDS 415 VThe CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14Effect Transistor (FET) that utilizes Clares proprietary Max Power 2.5 Wthird-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

8.2. Size:106K ixys
cpc5603c.pdf

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