CPC5602 - описание и поиск аналогов

 

CPC5602. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CPC5602

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 350 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 85 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для CPC5602

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPC5602 даташит

 ..1. Size:106K  ixys
 cpc5602.pdf pdf_icon

CPC5602

CPC5602 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14 third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 W generation process realizes world class, high voltage MOSFET perf

 0.1. Size:105K  ixys
 cpc5602c.pdf pdf_icon

CPC5602

CPC5602 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14 third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 W generation process realizes world class, high voltage MOSFET perf

 8.1. Size:106K  ixys
 cpc5603.pdf pdf_icon

CPC5602

CPC5603 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 415 V The CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14 Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max Power 2.5 W third-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

 8.2. Size:106K  ixys
 cpc5603c.pdf pdf_icon

CPC5602

CPC5603 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 415 V The CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14 Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max Power 2.5 W third-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CPC3710 , CPC3710C , CPC3714 , CPC3714C , CPC3720 , CPC3720C , CPC3730 , CPC3730C , IRF830 , CPC5602C , CPC5603 , CPC5603C , CPH3324 , CPH3327 , CPH3340 , CPH3341 , CPH3362 .

History: XP152A12C0MR-G | G30N04D3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.