CPMF-1200-S080B Todos los transistores

 

CPMF-1200-S080B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CPMF-1200-S080B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIP
 

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CPMF-1200-S080B Datasheet (PDF)

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CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 80 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 90.8 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Lead-Free G GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements

 3.1. Size:566K  cree
 cpmf-1200-s160b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S160B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 160 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 47 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed SwitchingGate Low Capacitances Easy to ParallelSource Source Simple to Drive Lead-FreeG GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Coo

Otros transistores... CPH5852 , CPH5871 , CPH6311 , CPH6411 , CPH6429 , CPH6434 , CPH6635 , CPH6636R , IRFP460 , CPMF-1200-S160B , CPT2301 , N0434N , N0439N , N0601N , N0602N , N0603N , N0604N .

History: MTB110P10F3 | 2SK3134 | DMP4065SQ | SVSP11N65KD2 | MS6N80 | AONR36366 | TPC8117

 

 
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