CPMF-1200-S080B Todos los transistores

 

CPMF-1200-S080B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CPMF-1200-S080B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: CHIP
     - Selección de transistores por parámetros

 

CPMF-1200-S080B Datasheet (PDF)

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CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 80 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 90.8 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Lead-Free G GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements

 3.1. Size:566K  cree
 cpmf-1200-s160b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S160B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 160 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 47 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed SwitchingGate Low Capacitances Easy to ParallelSource Source Simple to Drive Lead-FreeG GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Coo

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N7121 | AO8803 | FDC3612

 

 
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