CPMF-1200-S080B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CPMF-1200-S080B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: CHIP

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CPMF-1200-S080B datasheet

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CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B VDS = 1200 V Z-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 80 m N-Channel Enhancement Mode Qg = 90.8 nC Bare Die Features Package D D Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Lead-Free G G S S Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements

 3.1. Size:566K  cree
 cpmf-1200-s160b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S160B VDS = 1200 V Z-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 160 m N-Channel Enhancement Mode Qg = 47 nC Bare Die Features Package D D Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Gate Low Capacitances Easy to Parallel Source Source Simple to Drive Lead-Free G G S S Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Coo

Otros transistores... CPH5852, CPH5871, CPH6311, CPH6411, CPH6429, CPH6434, CPH6635, CPH6636R, IRFP460, CPMF-1200-S160B, CPT2301, N0434N, N0439N, N0601N, N0602N, N0603N, N0604N