Справочник MOSFET. CPMF-1200-S080B

 

CPMF-1200-S080B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CPMF-1200-S080B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CHIP

 Аналог (замена) для CPMF-1200-S080B

 

 

CPMF-1200-S080B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:811K  cree
 cpmf-1200-s080b.pdf

CPMF-1200-S080B CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 80 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 90.8 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Lead-Free G GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements

 3.1. Size:566K  cree
 cpmf-1200-s160b.pdf

CPMF-1200-S080B CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S160B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 160 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 47 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed SwitchingGate Low Capacitances Easy to ParallelSource Source Simple to Drive Lead-FreeG GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Coo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IM2132 | ELM14440AA

 

 
Back to Top