Справочник MOSFET. CPMF-1200-S080B

 

CPMF-1200-S080B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CPMF-1200-S080B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
 

 Аналог (замена) для CPMF-1200-S080B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPMF-1200-S080B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:811K  cree
 cpmf-1200-s080b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 80 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 90.8 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Lead-Free G GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements

 3.1. Size:566K  cree
 cpmf-1200-s160b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S160B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 160 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 47 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed SwitchingGate Low Capacitances Easy to ParallelSource Source Simple to Drive Lead-FreeG GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Coo

Другие MOSFET... CPH5852 , CPH5871 , CPH6311 , CPH6411 , CPH6429 , CPH6434 , CPH6635 , CPH6636R , IRF640 , CPMF-1200-S160B , CPT2301 , N0434N , N0439N , N0601N , N0602N , N0603N , N0604N .

History: IPD068P03L3 | IRF830APBF | SWHA056R68E7T | FIR12N80FG | APT11F80B | ELM34801AA | SWF18N50D

 

 
Back to Top

 


 
.