CPMF-1200-S080B - описание и поиск аналогов

 

CPMF-1200-S080B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CPMF-1200-S080B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: CHIP

Аналог (замена) для CPMF-1200-S080B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPMF-1200-S080B даташит

 0.1. Size:811K  cree
 cpmf-1200-s080b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B VDS = 1200 V Z-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 80 m N-Channel Enhancement Mode Qg = 90.8 nC Bare Die Features Package D D Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Lead-Free G G S S Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements

 3.1. Size:566K  cree
 cpmf-1200-s160b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S160B VDS = 1200 V Z-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 160 m N-Channel Enhancement Mode Qg = 47 nC Bare Die Features Package D D Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Gate Low Capacitances Easy to Parallel Source Source Simple to Drive Lead-Free G G S S Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Coo

Другие MOSFET... CPH5852 , CPH5871 , CPH6311 , CPH6411 , CPH6429 , CPH6434 , CPH6635 , CPH6636R , IRFP460 , CPMF-1200-S160B , CPT2301 , N0434N , N0439N , N0601N , N0602N , N0603N , N0604N .

History: BSZ0902NS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.