CPT2301 Todos los transistores

 

CPT2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CPT2301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 223 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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CPT2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  crownpo
 cpt2301.pdf pdf_icon

CPT2301

CTP2301Crownpo TechnologyCTP2301 P-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription -20V/-2.3A,RDS(ON) =130 m @VGS=-4.5VThe CTP2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using -20V/-1.9A,R =190 m @VGS=-2.5VDS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON

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History: PPM6N20V10 | TK20G60W | SL6244 | FTK3022 | IRF7210TR | SQM120N04-04 | LSG65R290HF

 

 
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