Справочник MOSFET. CPT2301

 

CPT2301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CPT2301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CPT2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  crownpo
 cpt2301.pdf pdf_icon

CPT2301

CTP2301Crownpo TechnologyCTP2301 P-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription -20V/-2.3A,RDS(ON) =130 m @VGS=-4.5VThe CTP2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using -20V/-1.9A,R =190 m @VGS=-2.5VDS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SPW24N60CFD | NCE70N1K4R | 2SJ651 | MPSW65M045B | AUIRF7675M2TR | AO3402 | 3N60K

 

 
Back to Top

 


 
.