Справочник MOSFET. CPT2301

 

CPT2301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CPT2301
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для CPT2301

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPT2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  crownpo
 cpt2301.pdf pdf_icon

CPT2301

CTP2301Crownpo TechnologyCTP2301 P-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription -20V/-2.3A,RDS(ON) =130 m @VGS=-4.5VThe CTP2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using -20V/-1.9A,R =190 m @VGS=-2.5VDS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON

Другие MOSFET... CPH6311 , CPH6411 , CPH6429 , CPH6434 , CPH6635 , CPH6636R , CPMF-1200-S080B , CPMF-1200-S160B , IRFP460 , N0434N , N0439N , N0601N , N0602N , N0603N , N0604N , N2500N , NCE15H15T .

 

 
Back to Top

 


 
.