Справочник MOSFET. CPT2301

 

CPT2301 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CPT2301
   Маркировка: 01*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 223 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для CPT2301

 

 

CPT2301 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  crownpo
 cpt2301.pdf

CPT2301 CPT2301

CTP2301Crownpo TechnologyCTP2301 P-Channel Enhancement Mode MOSFET FeaturesDescription -20V/-2.3A,RDS(ON) =130 m @VGS=-4.5VThe CTP2301 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using -20V/-1.9A,R =190 m @VGS=-2.5VDS(ON)high cell density , DMOS trench technology. Super high density cell design for extremelylow RDS(ON

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top