N0601N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: N0601N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 156 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Voltaje de corte de la puerta |Vgs(off)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 133 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 560 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0042 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET N0601N
N0601N Datasheet (PDF)
n0601n.pdf
Preliminary Data Sheet R07DS0557EJ0100N0601N Rev.1.00Nov 07, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on = 4.2 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) ) Low input capacitance Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
tn0601l vn0606l vn66afd.pdf
TN0601L, VN0606L, VN66AFDVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN0601L 1.8 @ VGS = 10 V 0.5 to 2 0.47VN0606L 60 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VN66AFD 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.46FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 1.2 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMO
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
