N0601N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: N0601N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET N0601N

N0601N Datasheet (PDF)

..1. Size:211K renesas
n0601n.pdf

Preliminary Data Sheet R07DS0557EJ0100N0601N Rev.1.00Nov 07, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on = 4.2 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) ) Low input capacitance Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

9.1. Size:63K vishay
tn0601l vn0606l vn66afd.pdf

TN0601L, VN0606L, VN66AFDVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN0601L 1.8 @ VGS = 10 V 0.5 to 2 0.47VN0606L 60 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VN66AFD 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.46FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 1.2 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMO

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: