N0601N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: N0601N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 133 nC
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO-263
N0601N Datasheet (PDF)
n0601n.pdf
Preliminary Data Sheet R07DS0557EJ0100N0601N Rev.1.00Nov 07, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on = 4.2 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) ) Low input capacitance Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)
tn0601l vn0606l vn66afd.pdf
TN0601L, VN0606L, VN66AFDVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETsPRODUCT SUMMARYPart Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A)TN0601L 1.8 @ VGS = 10 V 0.5 to 2 0.47VN0606L 60 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33VN66AFD 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.46FEATURES BENEFITS APPLICATIONSD Low On-Resistance: 1.2 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface: TTL/CMO
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F