N0601N - описание и поиск аналогов

 

N0601N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: N0601N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 560 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для N0601N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N0601N даташит

 ..1. Size:211K  renesas
 n0601n.pdf pdf_icon

N0601N

Preliminary Data Sheet R07DS0557EJ0100 N0601N Rev.1.00 Nov 07, 2011 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The N0601N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on = 4.2 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) ) Low input capacitance Ciss = 7730 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

 9.1. Size:63K  vishay
 tn0601l vn0606l vn66afd.pdf pdf_icon

N0601N

TN0601L, VN0606L, VN66AFD Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFETs PRODUCT SUMMARY Part Number V(BR)DSS Min (V) rDS(on) Max (W) VGS(th) (V) ID (A) TN0601L 1.8 @ VGS = 10 V 0.5 to 2 0.47 VN0606L 60 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2 0.33 VN66AFD 3 @ VGS = 10 V 0.8 to 2.5 1.46 FEATURES BENEFITS APPLICATIONS D Low On-Resistance 1.2 W D Low Offset Voltage D Direct Logic-Level Interface TTL/CMO

Другие MOSFET... CPH6434 , CPH6635 , CPH6636R , CPMF-1200-S080B , CPMF-1200-S160B , CPT2301 , N0434N , N0439N , IRFB4110 , N0602N , N0603N , N0604N , N2500N , NCE15H15T , NCV8401A , NCV8401ADTRKG , NCV8401DTRKG .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.