N0604N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: N0604N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 116 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO-220

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N0604N datasheet

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N0604N

Data Sheet N0604N R07DS0850EJ0100 N-channel MOSFET Rev.1.00 60 V, 82 A, 6.5 m Aug 27, 2012 Description The N0604N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 6.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) Low input capacitance Ciss = 4150 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) High curr

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N0604N

Supertex inc. TN0604 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (140pF typical) combination produces a dev

Otros transistores... CPMF-1200-S080B, CPMF-1200-S160B, CPT2301, N0434N, N0439N, N0601N, N0602N, N0603N, AO3400, N2500N, NCE15H15T, NCV8401A, NCV8401ADTRKG, NCV8401DTRKG, NCV8402A, NCV8402AD, NCV8402ASTT1G