N0604N Todos los transistores

 

N0604N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: N0604N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 116 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 82 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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N0604N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  renesas
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N0604N

Data SheetN0604N R07DS0850EJ0100N-channel MOSFET Rev.1.0060 V, 82 A, 6.5 m Aug 27, 2012Description The N0604N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 6.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) Low input capacitance Ciss = 4150 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) High curr

 9.1. Size:611K  supertex
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N0604N

Supertex inc. TN0604N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (140pF typical)combination produces a dev

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