Справочник MOSFET. N0604N

 

N0604N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: N0604N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 116 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 82 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для N0604N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N0604N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:141K  renesas
 n0604n.pdf pdf_icon

N0604N

Data SheetN0604N R07DS0850EJ0100N-channel MOSFET Rev.1.0060 V, 82 A, 6.5 m Aug 27, 2012Description The N0604N is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS (on) = 6.5 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A) Low input capacitance Ciss = 4150 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) High curr

 9.1. Size:611K  supertex
 tn0604.pdf pdf_icon

N0604N

Supertex inc. TN0604N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance (140pF typical)combination produces a dev

Другие MOSFET... CPMF-1200-S080B , CPMF-1200-S160B , CPT2301 , N0434N , N0439N , N0601N , N0602N , N0603N , IRF3710 , N2500N , NCE15H15T , NCV8401A , NCV8401ADTRKG , NCV8401DTRKG , NCV8402A , NCV8402AD , NCV8402ASTT1G .

History: JCS110N07I | SWP066R72E7T | SVG105R4NKL | CHT2302WGP | SPC10N80G | TJ20S04M3L | BRF65R380C

 

 
Back to Top

 


 
.