N2500N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: N2500N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.8 Ohm

Encapsulados: SC-96

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N2500N datasheet

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N2500N

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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N2500N

DMN2500UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 4.5V 1A 20V Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 0.8A Ultra-low package profile, 0.4mm max

Otros transistores... CPMF-1200-S160B, CPT2301, N0434N, N0439N, N0601N, N0602N, N0603N, N0604N, IRFB4227, NCE15H15T, NCV8401A, NCV8401ADTRKG, NCV8401DTRKG, NCV8402A, NCV8402AD, NCV8402ASTT1G, NCV8403A