N2500N Todos los transistores

 

N2500N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: N2500N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-96
     - Selección de transistores por parámetros

 

N2500N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:274K  renesas
 n2500n.pdf pdf_icon

N2500N

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:124K  diodes
 dmn2500ufb4.pdf pdf_icon

N2500N

DMN2500UFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-ResistanceID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 4.5V 1A 20V Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 0.8A Ultra-low package profile, 0.4mm max

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FTK2N60I | ELM13400CA-S | 2SK2314 | VBFB165R10 | BMS4007 | SFF40N10-28 | STP6506

 

 
Back to Top

 


 
.