N2500N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: N2500N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.8 Ohm

Тип корпуса: SC-96

Аналог (замена) для N2500N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

N2500N даташит

 ..1. Size:274K  renesas
 n2500n.pdf pdf_icon

N2500N

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:124K  diodes
 dmn2500ufb4.pdf pdf_icon

N2500N

DMN2500UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID V(BR)DSS RDS(on) max Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max TA = 25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 0.4 @ VGS = 4.5V 1A 20V Ultra-Small Surfaced Mount Package 0.7 @ VGS = 1.8V 0.8A Ultra-low package profile, 0.4mm max

Другие IGBT... CPMF-1200-S160B, CPT2301, N0434N, N0439N, N0601N, N0602N, N0603N, N0604N, IRFB4227, NCE15H15T, NCV8401A, NCV8401ADTRKG, NCV8401DTRKG, NCV8402A, NCV8402AD, NCV8402ASTT1G, NCV8403A