NDB610BE Todos los transistores

 

NDB610BE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDB610BE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB
 

 Búsqueda de reemplazo de NDB610BE MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDB610BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  fairchild semi
 ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf pdf_icon

NDB610BE

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BENDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Otros transistores... NDB410AE , NDB410B , NDB410BE , NDB608AE , NDB608B , NDB608BE , NDB610AE , NDB610B , 8205A , NDB708AE , NDB708B , NDB708BE , NDB710AE , NDB710B , NDB710BE , NDBA070N10B , NDBA100N10B .

 

 
Back to Top

 


 
.