Справочник MOSFET. NDB610BE

 

NDB610BE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDB610BE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для NDB610BE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB610BE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  fairchild semi
 ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf pdf_icon

NDB610BE

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BENDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDB410AE , NDB410B , NDB410BE , NDB608AE , NDB608B , NDB608BE , NDB610AE , NDB610B , 8205A , NDB708AE , NDB708B , NDB708BE , NDB710AE , NDB710B , NDB710BE , NDBA070N10B , NDBA100N10B .

History: RQ3E150BN | MPSA70M300CFD | CPH6311 | KQB2N50 | IPA90R1K0C3 | SM3419NHQA | RS1G180MN

 

 
Back to Top

 


 
.