NDB710AE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDB710AE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 42 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 92 nC
   Tiempo de subida (tr): 111 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 550 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDB710AE

NDB710AE Datasheet (PDF)

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May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BENDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

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Liste

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