NDB710AE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDB710AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 111 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для NDB710AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB710AE даташит

 ..1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDB710AE

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BE NDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell den

Другие IGBT... NDB608B, NDB608BE, NDB610AE, NDB610B, NDB610BE, NDB708AE, NDB708B, NDB708BE, K4145, NDB710B, NDB710BE, NDBA070N10B, NDBA100N10B, NDBA170N06A, NDBA180N10B, NDD01N60, NDD02N40