Справочник MOSFET. NDB710AE

 

NDB710AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDB710AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 111 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-263AB
 

 Аналог (замена) для NDB710AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB710AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDB710AE

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BENDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDB608B , NDB608BE , NDB610AE , NDB610B , NDB610BE , NDB708AE , NDB708B , NDB708BE , IRFB3607 , NDB710B , NDB710BE , NDBA070N10B , NDBA100N10B , NDBA170N06A , NDBA180N10B , NDD01N60 , NDD02N40 .

History: NCE40H12A | SIHF730 | RDR005N25 | STP12N60M2 | MMN6968E | NCE80T900F | SSM6P36TU

 

 
Back to Top

 


 
.