NDBA070N10B Todos los transistores

 

NDBA070N10B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDBA070N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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NDBA070N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  onsemi
 ndba070n10b.pdf pdf_icon

NDBA070N10B

NDBA070N10B Advance Information www.onsemi.com Power MOSFET 100V, 10.5m, 70A, N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 10.5 m@15V Low Gate Charge 100V 70A 12.4 m@10V High Speed Switching 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel D(2, 4)Specifications Absolut

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History: NDBA180N10B | SM6A07NSF | SSP70R600S2 | TPP60R160M | STP21NM50N | STL65N3LLH5 | TPP70R190C

 

 
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