Справочник MOSFET. NDBA070N10B

 

NDBA070N10B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDBA070N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для NDBA070N10B

 

 

NDBA070N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  onsemi
 ndba070n10b.pdf

NDBA070N10B NDBA070N10B

NDBA070N10B Advance Information www.onsemi.com Power MOSFET 100V, 10.5m, 70A, N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 10.5 m@15V Low Gate Charge 100V 70A 12.4 m@10V High Speed Switching 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel D(2, 4)Specifications Absolut

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top