NDBA070N10B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDBA070N10B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для NDBA070N10B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDBA070N10B даташит

 ..1. Size:396K  onsemi
 ndba070n10b.pdf pdf_icon

NDBA070N10B

NDBA070N10B Advance Information www.onsemi.com Power MOSFET 100V, 10.5m , 70A, N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 10.5 m @15V Low Gate Charge 100V 70A 12.4 m @10V High Speed Switching 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel D(2, 4) Specifications Absolut

Другие IGBT... NDB610B, NDB610BE, NDB708AE, NDB708B, NDB708BE, NDB710AE, NDB710B, NDB710BE, 12N60, NDBA100N10B, NDBA170N06A, NDBA180N10B, NDD01N60, NDD02N40, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1