Справочник MOSFET. NDBA070N10B

 

NDBA070N10B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDBA070N10B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для NDBA070N10B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDBA070N10B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  onsemi
 ndba070n10b.pdf pdf_icon

NDBA070N10B

NDBA070N10B Advance Information www.onsemi.com Power MOSFET 100V, 10.5m, 70A, N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 10.5 m@15V Low Gate Charge 100V 70A 12.4 m@10V High Speed Switching 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel D(2, 4)Specifications Absolut

Другие MOSFET... NDB610B , NDB610BE , NDB708AE , NDB708B , NDB708BE , NDB710AE , NDB710B , NDB710BE , 4N60 , NDBA100N10B , NDBA170N06A , NDBA180N10B , NDD01N60 , NDD02N40 , NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.