NDD01N60 Todos los transistores

 

NDD01N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDD01N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
 

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NDD01N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
 ndd01n60 ndt01n60.pdf pdf_icon

NDD01N60

NDD01N60, NDT01N60N-Channel Power MOSFET600 V, 8.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)600 V 8.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VD (2)Continuou

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History: AP85T10AGP | TPP70R190C | SSP70R600S2 | STP21NM50N | STL65N3LLH5 | NDBA180N10B | SM6A07NSF

 

 
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