NDD01N60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDD01N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm

Encapsulados: DPAK IPAK

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NDD01N60 datasheet

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NDD01N60

NDD01N60, NDT01N60 N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 W Features 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 600 V 8.5 W @ 10 V Parameter Symbol NDD NDT Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V D (2) Continuou

Otros transistores... NDB708BE, NDB710AE, NDB710B, NDB710BE, NDBA070N10B, NDBA100N10B, NDBA170N06A, NDBA180N10B, AON6380, NDD02N40, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z