NDD01N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDD01N60
   Código: 01N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 46 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 1.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.7 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 5.1 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 22 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDD01N60

NDD01N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:125K onsemi
ndd01n60 ndt01n60.pdf

NDD01N60, NDT01N60N-Channel Power MOSFET600 V, 8.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)600 V 8.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VD (2)Continuou

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: