NDD01N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDD01N60
Маркировка: 01N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7.2 nC
Время нарастания (tr): 5.1 ns
Выходная емкость (Cd): 22 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8.5 Ohm
Тип корпуса: DPAK IPAK
NDD01N60 Datasheet (PDF)
..1. Size:125K onsemi
ndd01n60 ndt01n60.pdf
ndd01n60 ndt01n60.pdf
NDD01N60, NDT01N60N-Channel Power MOSFET600 V, 8.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)600 V 8.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VD (2)Continuou
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
