Справочник MOSFET. NDD01N60

 

NDD01N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDD01N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK
 

 Аналог (замена) для NDD01N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD01N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  onsemi
 ndd01n60 ndt01n60.pdf pdf_icon

NDD01N60

NDD01N60, NDT01N60N-Channel Power MOSFET600 V, 8.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)600 V 8.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VD (2)Continuou

Другие MOSFET... NDB708BE , NDB710AE , NDB710B , NDB710BE , NDBA070N10B , NDBA100N10B , NDBA170N06A , NDBA180N10B , IRLZ44N , NDD02N40 , NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , NDDL01N60Z .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.