NDD01N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDD01N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

Аналог (замена) для NDD01N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD01N60 даташит

 ..1. Size:125K  onsemi
 ndd01n60 ndt01n60.pdf pdf_icon

NDD01N60

NDD01N60, NDT01N60 N-Channel Power MOSFET 600 V, 8.5 W Features 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 600 V 8.5 W @ 10 V Parameter Symbol NDD NDT Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 600 V D (2) Continuou

Другие IGBT... NDB708BE, NDB710AE, NDB710B, NDB710BE, NDBA070N10B, NDBA100N10B, NDBA170N06A, NDBA180N10B, AON6380, NDD02N40, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z