NDD02N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDD02N40
Código: 2N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
NDD02N40 Datasheet (PDF)
ndd02n40 ndt02n40.pdf

NDD02N40, NDT02N40N-Channel Power MOSFET400 V, 5.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)400 V 5.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 400 VD (2)Gate-to-S
ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf

NDF02N60Z, NDP02N60Z,NDD02N60ZN-Channel Power MOSFET600 V, 4.8 WFeatureshttp://onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected GateVDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested600 V4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantN-ChannelABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise noted)D (2
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History: FTK40P04D | IPAN60R600P7S | SI2369DS | NCE8295AK | IRFP4228PBF
History: FTK40P04D | IPAN60R600P7S | SI2369DS | NCE8295AK | IRFP4228PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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