NDD02N40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDD02N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

Аналог (замена) для NDD02N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD02N40 даташит

 ..1. Size:98K  onsemi
 ndd02n40 ndt02n40.pdf pdf_icon

NDD02N40

NDD02N40, NDT02N40 N-Channel Power MOSFET 400 V, 5.5 W Features 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 400 V 5.5 W @ 10 V Parameter Symbol NDD NDT Unit N-Channel MOSFET Drain-to-Source Voltage VDSS 400 V D (2) Gate-to-S

 8.1. Size:143K  onsemi
 ndf02n60z ndp02n60z ndd02n60z.pdf pdf_icon

NDD02N40

NDF02N60Z, NDP02N60Z, NDD02N60Z N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 W Features http //onsemi.com Low ON Resistance Low Gate Charge ESD Diode-Protected Gate VDSS RDS(on) (MAX) @ 1 A 100% Avalanche Tested 600 V 4.8 W These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant N-Channel ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C unless otherwise noted) D (2

Другие IGBT... NDB710AE, NDB710B, NDB710BE, NDBA070N10B, NDBA100N10B, NDBA170N06A, NDBA180N10B, NDD01N60, IRF530, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, NDDP010N25AZ