NDDP010N25AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NDDP010N25AZ
   Código: 10N25AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK

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NDDP010N25AZ Datasheet (PDF)

..1. Size:379K onsemi
nddp010n25az.pdf

NDDP010N25AZ Power MOSFET www.onsemi.com 250V, 10A, 420m, N-Channel Features Electrical Connection High Speed Switching Low Gate Charge 2,4 ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance 1. Gate Specifications 12. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 4. Drain Parameter Symbol Value

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