NDDP010N25AZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDDP010N25AZ

Código: 10N25AZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 52 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V

Carga de compuerta (Qg): 16 nC

Tiempo de elevación (tr): 26 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.42 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK, IPAK

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NDDP010N25AZ Datasheet (PDF)

1.1. nddp010n25az.pdf Size:379K _onsemi

NDDP010N25AZ Power MOSFET www.onsemi.com 250V, 10A, 420mΩ, N-Channel Features Electrical Connection  High Speed Switching  Low Gate Charge 2,4  ESD Diode-Protected Gate  100% Avalanche Tested  Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance 1. Gate Specifications 1 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 4. Drain Parameter Symbol Value

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