NDDP010N25AZ Todos los transistores

 

NDDP010N25AZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDDP010N25AZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK IPAK
 

 Búsqueda de reemplazo de NDDP010N25AZ MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

Principales características: NDDP010N25AZ

 ..1. Size:379K  onsemi
 nddp010n25az.pdf pdf_icon

NDDP010N25AZ

NDDP010N25AZ Power MOSFET www.onsemi.com 250V, 10A, 420m , N-Channel Features Electrical Connection High Speed Switching Low Gate Charge 2,4 ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance 1. Gate Specifications 1 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C 4. Drain Parameter Symbol Value

Otros transistores... NDD02N40 , NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , NDDL01N60Z , BS170 , NDFP03N150C , NDFP03N150CG , NDFPD1N150C , NDFPD1N150CG , NDP410AE , NDP410B , NDP410BE , NDP605A .

 

 
Back to Top

 


 
.