Справочник MOSFET. NDDP010N25AZ

 

NDDP010N25AZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NDDP010N25AZ

Маркировка: 10N25AZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16 nC

Время нарастания (tr): 26 ns

Выходная емкость (Cd): 80 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.42 Ohm

Тип корпуса: DPAK, IPAK

Аналог (замена) для NDDP010N25AZ

 

 

NDDP010N25AZ Datasheet (PDF)

1.1. nddp010n25az.pdf Size:379K _onsemi

NDDP010N25AZ
NDDP010N25AZ

NDDP010N25AZ Power MOSFET www.onsemi.com 250V, 10A, 420mΩ, N-Channel Features Electrical Connection  High Speed Switching  Low Gate Charge 2,4  ESD Diode-Protected Gate  100% Avalanche Tested  Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance 1. Gate Specifications 1 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 4. Drain Parameter Symbol Value

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top