Справочник MOSFET. NDDP010N25AZ

 

NDDP010N25AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDDP010N25AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK
 

 Аналог (замена) для NDDP010N25AZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDDP010N25AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  onsemi
 nddp010n25az.pdf pdf_icon

NDDP010N25AZ

NDDP010N25AZ Power MOSFET www.onsemi.com 250V, 10A, 420m, N-Channel Features Electrical Connection High Speed Switching Low Gate Charge 2,4 ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance 1. Gate Specifications 12. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 4. Drain Parameter Symbol Value

Другие MOSFET... NDD02N40 , NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , NDD60N745U1 , NDD60N900U1 , NDDL01N60Z , 18N50 , NDFP03N150C , NDFP03N150CG , NDFPD1N150C , NDFPD1N150CG , NDP410AE , NDP410B , NDP410BE , NDP605A .

History: UFZ24NL-TA3 | 2SK2923 | CJU04N65

 

 
Back to Top

 


 
.