NDDP010N25AZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDDP010N25AZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: DPAK IPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDDP010N25AZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDDP010N25AZ даташит

 ..1. Size:379K  onsemi
 nddp010n25az.pdf pdf_icon

NDDP010N25AZ

NDDP010N25AZ Power MOSFET www.onsemi.com 250V, 10A, 420m , N-Channel Features Electrical Connection High Speed Switching Low Gate Charge 2,4 ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance 1. Gate Specifications 1 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C 4. Drain Parameter Symbol Value

Другие IGBT... NDD02N40, NDD03N40Z, NDD03N80Z, NDD60N360U1, NDD60N550U1, NDD60N745U1, NDD60N900U1, NDDL01N60Z, CS150N04A8, NDFP03N150C, NDFP03N150CG, NDFPD1N150C, NDFPD1N150CG, NDP410AE, NDP410B, NDP410BE, NDP605A