Справочник MOSFET. NDDP010N25AZ

 

NDDP010N25AZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDDP010N25AZ
   Маркировка: 10N25AZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDDP010N25AZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  onsemi
 nddp010n25az.pdf pdf_icon

NDDP010N25AZ

NDDP010N25AZ Power MOSFET www.onsemi.com 250V, 10A, 420m, N-Channel Features Electrical Connection High Speed Switching Low Gate Charge 2,4 ESD Diode-Protected Gate 100% Avalanche Tested Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance 1. Gate Specifications 12. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 4. Drain Parameter Symbol Value

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WNMD2154 | WMQ40DN03T1

 

 
Back to Top

 


 
.