NDP710AE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDP710AE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 111 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de NDP710AE MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NDP710AE datasheet

 ..1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDP710AE

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BE NDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell den

Otros transistores... NDP608B, NDP608BE, NDP610AE, NDP610B, NDP610BE, NDP708AE, NDP708B, NDP708BE, IRFB31N20D, NDP710B, NDP710BE, NDPL070N10B, NDPL070N10BG, NDPL100N10B, NDPL100N10BG, NDPL180N10B, NDPL180N10BG