Справочник MOSFET. NDP710AE

 

NDP710AE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDP710AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 111 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 550 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NDP710AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP710AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:58K  fairchild semi
 ndb710ae ndb710b ndb710be ndp710ae ndp710b ndp710be.pdf pdf_icon

NDP710AE

May 1994 NDP710A / NDP710AE / NDP710B / NDP710BENDB710A / NDB710AE / NDB710B / NDB710BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field42 and 40A, 100V. RDS(ON) = 0.038 and 0.042. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDP608B , NDP608BE , NDP610AE , NDP610B , NDP610BE , NDP708AE , NDP708B , NDP708BE , IRF730 , NDP710B , NDP710BE , NDPL070N10B , NDPL070N10BG , NDPL100N10B , NDPL100N10BG , NDPL180N10B , NDPL180N10BG .

History: IPP70N10S3L-12 | 2N7335E3 | STP33N60M2 | OSG55R099HSZF | IPI50CN10NG | SSF4414 | VN98AK

 

 
Back to Top

 


 
.