NDPL070N10BG Todos los transistores

 

NDPL070N10BG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDPL070N10BG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

NDPL070N10BG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:394K  onsemi
 ndpl070n10b ndpl070n10bg.pdf pdf_icon

NDPL070N10BG

NDPL070N10B Advance Information www.onsemi.com Power MOSFET 100V, 10.8m, 70A, N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 10.8 m@15V Low Gate Charge 100V 70A 12.8 m@10V High Speed Switching 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel Applications D(2)Specifications Absolute

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History: DMP3098L | IRFPC42R | SIHF9540S | HITJ0203MP | AUIRF5210S | SPP80P06PH | FQB9N08TM

 

 
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