NDPL070N10BG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDPL070N10BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 840 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для NDPL070N10BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDPL070N10BG даташит

 ..1. Size:394K  onsemi
 ndpl070n10b ndpl070n10bg.pdf pdf_icon

NDPL070N10BG

NDPL070N10B Advance Information www.onsemi.com Power MOSFET 100V, 10.8m , 70A, N-Channel Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resistance 10.8 m @15V Low Gate Charge 100V 70A 12.8 m @10V High Speed Switching 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection N-Channel Applications D(2) Specifications Absolute

Другие IGBT... NDP610BE, NDP708AE, NDP708B, NDP708BE, NDP710AE, NDP710B, NDP710BE, NDPL070N10B, IRFZ48N, NDPL100N10B, NDPL100N10BG, NDPL180N10B, NDPL180N10BG, NDS335N, NDS336P, NDS352P, NDS355N