NDPL100N10BG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDPL100N10BG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 385 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm

Encapsulados: TO-220

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NDPL100N10BG datasheet

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NDPL100N10BG

NDPL100N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 7.2m , 100A, N-Channel Features Low On-Resistance VDSS RDS(on) Max ID Max Low Gate Charge 7.2 m @15V High Speed Switching 100V 100A 8.7 m @10V 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C 2 Parameter Sy

 9.1. Size:625K  onsemi
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NDPL100N10BG

NDPL180N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 3.0m , 180A, N-Channel VDSS RDS(on) Max ID Max Features 3.0m @ 15V Ultra Low On-Resistance 100V 180A 3.5m @ 10V Low Gate Charge High Speed Switching 100% Avalanche Test Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Unit

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