NDPL100N10BG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDPL100N10BG
Código: 100N10B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 35 nC
Tiempo de subida (tr): 385 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0072 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NDPL100N10BG
NDPL100N10BG Datasheet (PDF)
ndpl100n10b ndpl100n10bg.pdf
NDPL100N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 7.2m, 100A, N-Channel Features Low On-Resistance VDSS RDS(on) Max ID Max Low Gate Charge 7.2 m@15V High Speed Switching 100V 100A 8.7 m@10V 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 2Parameter Sy
ndpl180n10b ndpl180n10bg.pdf
NDPL180N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 3.0m, 180A, N-Channel VDSS RDS(on) Max ID MaxFeatures 3.0m@ 15V Ultra Low On-Resistance 100V 180A 3.5m@ 10V Low Gate Charge High Speed Switching 100% Avalanche Test Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Unit
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