NDPL100N10BG Todos los transistores

 

NDPL100N10BG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDPL100N10BG
   Código: 100N10B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 385 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

NDPL100N10BG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:613K  onsemi
 ndpl100n10b ndpl100n10bg.pdf pdf_icon

NDPL100N10BG

NDPL100N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 7.2m, 100A, N-Channel Features Low On-Resistance VDSS RDS(on) Max ID Max Low Gate Charge 7.2 m@15V High Speed Switching 100V 100A 8.7 m@10V 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C 2Parameter Sy

 9.1. Size:625K  onsemi
 ndpl180n10b ndpl180n10bg.pdf pdf_icon

NDPL100N10BG

NDPL180N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 3.0m, 180A, N-Channel VDSS RDS(on) Max ID MaxFeatures 3.0m@ 15V Ultra Low On-Resistance 100V 180A 3.5m@ 10V Low Gate Charge High Speed Switching 100% Avalanche Test Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25C Unit

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History: SI2202

 

 
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