NDPL100N10BG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDPL100N10BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 385 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для NDPL100N10BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDPL100N10BG даташит

 ..1. Size:613K  onsemi
 ndpl100n10b ndpl100n10bg.pdf pdf_icon

NDPL100N10BG

NDPL100N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 7.2m , 100A, N-Channel Features Low On-Resistance VDSS RDS(on) Max ID Max Low Gate Charge 7.2 m @15V High Speed Switching 100V 100A 8.7 m @10V 100% Avalanche Tested Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C 2 Parameter Sy

 9.1. Size:625K  onsemi
 ndpl180n10b ndpl180n10bg.pdf pdf_icon

NDPL100N10BG

NDPL180N10B Power MOSFET www.onsemi.com 100V, 3.0m , 180A, N-Channel VDSS RDS(on) Max ID Max Features 3.0m @ 15V Ultra Low On-Resistance 100V 180A 3.5m @ 10V Low Gate Charge High Speed Switching 100% Avalanche Test Pb-Free and RoHS Compliance Electrical Connection Specifications N-Channel Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C Unit

Другие IGBT... NDP708B, NDP708BE, NDP710AE, NDP710B, NDP710BE, NDPL070N10B, NDPL070N10BG, NDPL100N10B, IRF830, NDPL180N10B, NDPL180N10BG, NDS335N, NDS336P, NDS352P, NDS355N, NDS8410, NDS9405