NDT02N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDT02N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-223
Búsqueda de reemplazo de NDT02N40 MOSFET
NDT02N40 Datasheet (PDF)
ndd02n40 ndt02n40.pdf

NDD02N40, NDT02N40N-Channel Power MOSFET400 V, 5.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)400 V 5.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 400 VD (2)Gate-to-S
Otros transistores... NDS336P , NDS352P , NDS355N , NDS8410 , NDS9405 , NDS9430 , NDS9430A , NDT01N60 , 5N50 , NDTL03N150C , NDTL03N150CG , NDUL03N150C , NDUL03N150CG , NDUL09N150C , NDUL09N150CG , NID9N05ACLT4G , NID9N05CLT4G .
History: IRFP2907Z | KIA5N60E | WTM2300 | UTT6N10Z | KIA65R420 | SSM9926TGO | WMB95P06TS
History: IRFP2907Z | KIA5N60E | WTM2300 | UTT6N10Z | KIA65R420 | SSM9926TGO | WMB95P06TS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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