NDT02N40 Todos los transistores

 

NDT02N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT02N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 16 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223
 

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NDT02N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  onsemi
 ndd02n40 ndt02n40.pdf pdf_icon

NDT02N40

NDD02N40, NDT02N40N-Channel Power MOSFET400 V, 5.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)400 V 5.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 400 VD (2)Gate-to-S

Otros transistores... NDS336P , NDS352P , NDS355N , NDS8410 , NDS9405 , NDS9430 , NDS9430A , NDT01N60 , 5N50 , NDTL03N150C , NDTL03N150CG , NDUL03N150C , NDUL03N150CG , NDUL09N150C , NDUL09N150CG , NID9N05ACLT4G , NID9N05CLT4G .

History: CS4N80P | NTMFS4C022N | HFP2N60S | HAT1108C | VSE008NE2LS | NTMFS4C020N | PJF9NA90

 

 
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