Справочник MOSFET. NDT02N40

 

NDT02N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDT02N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для NDT02N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDT02N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  onsemi
 ndd02n40 ndt02n40.pdf pdf_icon

NDT02N40

NDD02N40, NDT02N40N-Channel Power MOSFET400 V, 5.5 WFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)400 V 5.5 W @ 10 VParameter Symbol NDD NDT UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 400 VD (2)Gate-to-S

Другие MOSFET... NDS336P , NDS352P , NDS355N , NDS8410 , NDS9405 , NDS9430 , NDS9430A , NDT01N60 , 5N50 , NDTL03N150C , NDTL03N150CG , NDUL03N150C , NDUL03N150CG , NDUL09N150C , NDUL09N150CG , NID9N05ACLT4G , NID9N05CLT4G .

 

 
Back to Top

 


 
.