NILMS4501NR2G Todos los transistores

 

NILMS4501NR2G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NILMS4501NR2G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLLP4
 

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NILMS4501NR2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  onsemi
 nilms4501n nilms4501nr2 nilms4501nr2g.pdf pdf_icon

NILMS4501NR2G

NILMS4501NPower MOSFET withCurrent Mirror FET24 V, 9.5 A, N-Channel, ESD Protected,1:250 Current Mirror, SO-8 Leadlesshttp://onsemi.comN-Channel MOSFET with 1:250 current mirror device utilizing thelatest ON Semiconductor technology to achieve low figure of meritVDSS RDS(on) Typ ID MAXwhile keeping a high accuracy in the linear region. This device takes24 V 12 mW @ 4.5 V 9.5

Otros transistores... NDTL03N150CG , NDUL03N150C , NDUL03N150CG , NDUL09N150C , NDUL09N150CG , NID9N05ACLT4G , NID9N05CLT4G , NILMS4501NR2 , 50N06 , NMSD200B01-7 , NP100N04MDH , NP100N04MUH , NP100N04NDH , NP100N04NUH , NP100N04NUJ , NP100N04PDH , NP100N04PUH .

History: 2SJ407 | H6968CTS | NCEP008N30GU | 2SJ380 | SPP80N06S2L-07 | 2SJ195 | 2SK3502-01MR

 

 
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