NILMS4501NR2G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NILMS4501NR2G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 870 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: PLLP4

 Búsqueda de reemplazo de NILMS4501NR2G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NILMS4501NR2G datasheet

 ..1. Size:90K  onsemi
 nilms4501n nilms4501nr2 nilms4501nr2g.pdf pdf_icon

NILMS4501NR2G

NILMS4501N Power MOSFET with Current Mirror FET 24 V, 9.5 A, N-Channel, ESD Protected, 1 250 Current Mirror, SO-8 Leadless http //onsemi.com N-Channel MOSFET with 1 250 current mirror device utilizing the latest ON Semiconductor technology to achieve low figure of merit VDSS RDS(on) Typ ID MAX while keeping a high accuracy in the linear region. This device takes 24 V 12 mW @ 4.5 V 9.5

Otros transistores... NDTL03N150CG, NDUL03N150C, NDUL03N150CG, NDUL09N150C, NDUL09N150CG, NID9N05ACLT4G, NID9N05CLT4G, NILMS4501NR2, 50N06, NMSD200B01-7, NP100N04MDH, NP100N04MUH, NP100N04NDH, NP100N04NUH, NP100N04NUJ, NP100N04PDH, NP100N04PUH