Справочник MOSFET. NILMS4501NR2G

 

NILMS4501NR2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NILMS4501NR2G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: PLLP4
 

 Аналог (замена) для NILMS4501NR2G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NILMS4501NR2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:90K  onsemi
 nilms4501n nilms4501nr2 nilms4501nr2g.pdf pdf_icon

NILMS4501NR2G

NILMS4501NPower MOSFET withCurrent Mirror FET24 V, 9.5 A, N-Channel, ESD Protected,1:250 Current Mirror, SO-8 Leadlesshttp://onsemi.comN-Channel MOSFET with 1:250 current mirror device utilizing thelatest ON Semiconductor technology to achieve low figure of meritVDSS RDS(on) Typ ID MAXwhile keeping a high accuracy in the linear region. This device takes24 V 12 mW @ 4.5 V 9.5

Другие MOSFET... NDTL03N150CG , NDUL03N150C , NDUL03N150CG , NDUL09N150C , NDUL09N150CG , NID9N05ACLT4G , NID9N05CLT4G , NILMS4501NR2 , 50N06 , NMSD200B01-7 , NP100N04MDH , NP100N04MUH , NP100N04NDH , NP100N04NUH , NP100N04NUJ , NP100N04PDH , NP100N04PUH .

History: MTP2N18 | GKI03080

 

 
Back to Top

 


 
.