NILMS4501NR2G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NILMS4501NR2G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 870 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: PLLP4

Аналог (замена) для NILMS4501NR2G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NILMS4501NR2G даташит

 ..1. Size:90K  onsemi
 nilms4501n nilms4501nr2 nilms4501nr2g.pdf pdf_icon

NILMS4501NR2G

NILMS4501N Power MOSFET with Current Mirror FET 24 V, 9.5 A, N-Channel, ESD Protected, 1 250 Current Mirror, SO-8 Leadless http //onsemi.com N-Channel MOSFET with 1 250 current mirror device utilizing the latest ON Semiconductor technology to achieve low figure of merit VDSS RDS(on) Typ ID MAX while keeping a high accuracy in the linear region. This device takes 24 V 12 mW @ 4.5 V 9.5

Другие IGBT... NDTL03N150CG, NDUL03N150C, NDUL03N150CG, NDUL09N150C, NDUL09N150CG, NID9N05ACLT4G, NID9N05CLT4G, NILMS4501NR2, 50N06, NMSD200B01-7, NP100N04MDH, NP100N04MUH, NP100N04NDH, NP100N04NUH, NP100N04NUJ, NP100N04PDH, NP100N04PUH